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申请/专利权人：武汉大学
摘要：本申请涉及一种量子阱生长掺杂的深紫外LED外延结构及制备方法，其包括依次层叠的衬底、成核层、超晶格缓冲层、n型半导体材料层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型半导体材料层和p型半导体接触层；所述多量子阱层包括周期性交替生长的量子阱结构和量子垒结构；所述量子阱结构包括不中断生长的非掺量子阱层，所述量子垒结构包括依次层叠的中断生长的非掺量子垒层、中断生长的掺Si量子垒层和中断生长的非掺量子垒层。本申请可以提高深紫外LED光电性能与可靠性。
主权项：1.一种量子阱生长掺杂的深紫外LED外延结构，其特征在于，其包括依次层叠的衬底101、成核层102、超晶格缓冲层103、n型半导体材料层104、多量子阱层、p型电子阻挡层108、p型半导体材料层109和p型半导体接触层110；其中，所述多量子阱层包括周期性交替生长的量子阱结构和量子垒结构；所述量子阱结构包括不中断生长的非掺量子阱层105，所述量子垒结构包括依次层叠的中断生长的非掺量子垒层106、中断生长的掺Si量子垒层107和中断生长的非掺量子垒层106。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种量子阱生长掺杂的深紫外LED外延结构及制备方法
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