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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：本发明提供硅基减反薄膜，包括硅基底，以及对称设于硅基底两表面的膜系，膜系包括依次设于硅基底上的第一Y2O3层，第一Ge层，第一ZnS层，第二Ge层，第二ZnS层，第三Ge层，第二Y2O3层和Al2O3层，并设置各膜层厚度，提供的硅基减反薄膜在红外中波段透光性好，膜层结合力好，耐磨性好。还提供该硅基减反薄膜的制备方法，通过在离子源辅助下进行镀膜，并合理控制离子源电压、离子源气体和沉积速度，提高膜系的中波段透过率，改善各膜层之间的结合力，提高膜系结构的耐久性。
主权项：1.硅基减反薄膜，其特征在于，包括硅基底，以及对称设于硅基底两表面的膜系，所述膜系包括依次设于硅基底上的第一Y2O3层，第一Ge层，第一ZnS层，第二Ge层，第二ZnS层，第三Ge层，第二Y2O3层和Al2O3层；所述第一Y2O3层的厚度为20nm，第一Ge层的厚度为129.57nm，第一ZnS层的厚度为56.86nm，第二Ge层的厚度为311.7nm，第二ZnS层的厚度为146.24nm，第三Ge层的厚度为88.9nm，第二Y2O3层的厚度为20nm，Al2O3层的厚度为690nm。
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百度查询： 安徽光智科技有限公司 硅基减反薄膜及其制备方法
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