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薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质 

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申请/专利权人:拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

摘要:本发明提供了薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括工艺腔室、工艺气源、抽气机构及补气模块。所述工艺腔室用于容纳待加工的晶圆,并对其进行薄膜沉积工艺。所述工艺气源用于向所述工艺腔室提供工艺气体,并响应于一警报信号而关闭。所述抽气机构包括真空泵及节流阀。所述真空泵经由所述节流阀连接设于所述工艺腔室的抽气口。所述节流阀响应于所述警报信号而先在其关断延迟时间内逐渐关闭,再根据预设的工艺终止曲线逐渐开启,以控制所述工艺腔室中的气压按所述工艺终止曲线下降到结束所述薄膜沉积工艺的终点气压。所述补气模块响应于所述警报信号而在所述节流阀的关断延迟时间内向所述工艺腔室提供补充气体。

主权项:1.一种薄膜沉积设备,其特征在于,包括:工艺腔室,用于容纳待加工的晶圆,并对其进行薄膜沉积工艺;工艺气源,用于向所述工艺腔室提供工艺气体,并响应于一警报信号而关闭;抽气机构,包括真空泵及节流阀,其中,所述真空泵经由所述节流阀连接设于所述工艺腔室的抽气口,所述节流阀响应于所述警报信号而先在其关断延迟时间内逐渐关闭,再根据预设的工艺终止曲线逐渐开启,以控制所述工艺腔室中的气压按所述工艺终止曲线下降到结束所述薄膜沉积工艺的终点气压;以及补气模块,响应于所述警报信号而在所述节流阀的关断延迟时间内向所述工艺腔室提供补充气体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质

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