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申请/专利权人：深圳市铂科新材料股份有限公司;惠州铂科实业有限公司
摘要：本发明属于半导体制备技术领域，公开了一种SiC长晶装置及方法。SiC长晶装置包括炉体、坩埚、用于对SiC原料单独加热或同时加热籽晶的第一加热装置以及用于对籽晶单独加热的第二加热装置，第一加热装置围绕炉体外侧设置，第一加热装置的加热高度不超过坩埚的顶部且能够沿炉体的轴向方向进行升降运动；第二加热装置的顶端加热高度高于坩埚的顶部，第一加热装置的第一加热功率大于第二加热装置的第二加热功率。本发明可以实现对SiC原料和籽晶的单独温度控制；通过第一加热装置的升降运动能够保持第一加热装置与SiC原料的相对位置不变，从而保障SiC原料升华速度与沉积速度基本保持一致，提高晶体生长质量。
主权项：1.一种SiC长晶装置，包括炉体1和设于所述炉体1内的坩埚2，所述坩埚2内设有籽晶100和SiC原料200；其特征在于，所述SiC长晶装置还包括：第一加热装置4，所述第一加热装置4围绕所述炉体1外侧设置，所述第一加热装置4的顶端加热高度不超过所述坩埚2的顶部，所述第一加热装置4能够沿所述炉体1的轴向方向进行升降运动，所述第一加热装置4用于对所述SiC原料200进行单独加热，或对所述籽晶100和所述SiC原料200进行同时加热；第二加热装置5，所述第二加热装置5的顶端加热高度高于所述坩埚2的顶部，所述第二加热装置5用于对籽晶100进行加热；所述第一加热装置4的第一加热功率大于所述第二加热装置5的第二加热功率。
全文数据：
权利要求：
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