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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种正面掺氯氧化的背接触电池及其制备方法，包括：S6、在硅片正面依次沉积氧化硅、掺氯氧化硅和三氧化二铝，然后在三氧化二铝外表面沉积减反层；控制氧化硅的沉积温度在400‑550℃，掺氯氧化硅的沉积条件包括：通入笑气、硅烷、含氯气体，含氯气体由氯源气体和载气组成，控制沉积温度在400‑550℃，控制含氯气体的流量以sccm计的数值、掺氯氧化硅沉积时间以s计的数值与S4制绒清洗中制绒时间以s计的数值的比值为（0.18‑2.1）：（0.018‑0.17）：1。本发明能够降低工艺中的钠离子对硅片及氧化硅的污染，同时达到最佳的钝化效果，从而提高电池转换效率和电池稳定性。
主权项：1.一种正面掺氯氧化的背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供双面抛光的硅片；S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和隔离层，第一半导体层包括第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；S3、在S2所得背面进行第一刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、进行制绒清洗，并去除硅片背面第二半导体开口区外的隔离层；S5、在S4所得背面沉积第二半导体层，第二半导体层包括第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；S6、在硅片正面依次沉积氧化硅、掺氯氧化硅和三氧化二铝，然后在三氧化二铝外表面沉积减反层；其中，控制氧化硅的沉积温度在400-550℃，且掺氯氧化硅的沉积条件包括：通入笑气、硅烷、含氯气体，含氯气体由氯源气体和载气组成，控制沉积温度在400-550℃，控制含氯气体的流量以sccm计的数值、掺氯氧化硅沉积时间以s计的数值与S4制绒清洗中制绒时间以s计的数值的比值为（0.18-2.1）：（0.018-0.17）：1，掺氯氧化硅中氯的掺杂浓度为1×1017cm-3-9×1018cm-3，并控制氧化硅的厚度为1-2nm，氧化硅与掺氯氧化硅的厚度之比为1：（0.5-3）。
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权利要求：
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