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一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置 

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申请/专利权人:湘潭大学

摘要:本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置,包括:检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能,筛选出待测器件;将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接,得到多个待测器件组;将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上;对真空腔内进行抽真空;在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能;对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析,确定预设温度辐照下,锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析,得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况,为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。

主权项:1.一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法,其特征在于,包括:检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能,筛选出待测器件;将所述待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接,得到多个待测器件组;将所述待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上,调控所述无氧铜板的温度;对所述真空腔内进行抽真空,保持真空腔内达到设定值的真空状态;在预设条件下分别检测所述待测器件组的电学性能,获取每个所述待测器件组的Gummel特性曲线;所述预设条件包括:参照温度无辐照、参照温度辐照、预设温度无辐照和预设温度辐照,在所述真空腔内调控所述无氧铜板的温度以达到所述参照温度或所述预设温度,所述预设温度低于100K;对每个所述待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析,确定所述预设温度辐照下,所述锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。

全文数据:

权利要求:

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