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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种高栅氧可靠性和低栅极电容的沟槽型SiCMOSFET及其制备方法，涉半导体技术领域。本发明采用调控栅极和N‑耐压层的重合区域的大小来降低SiCMOSFET的栅极电容。传统的沟槽型SiCMOSFET，栅极和N‑耐压层的重合区域的宽度等于沟槽的宽度，本发明创新性的采用两次沟槽刻蚀，使栅极和N‑耐压层的重合区域的宽度低于沟槽的宽度，从而降低了栅极和N‑耐压层的重合区域对栅极电容的贡献，达到降低SiCMOSFET栅极电容的益处，对比传统结构的沟槽型SiCMOSFET，相同工艺条件下，本发明制备的SiCMOSFET，栅极电容减小10%‑20%。
主权项：1.一种沟槽型SiCMOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在外延片（1）内制备P+沟道层（2）；外延片由自下而上的N+衬底层（13）和N-耐压层（14）组成；步骤S200，在P+沟道层（2）内制备N+层（3）；步骤S300，在外延片（1）内制备第一沟槽（4）；步骤S400，在第一沟槽（4）内制备隔离介质（5）；步骤S500，在外延片（1）内制备第二沟槽（6）；第二沟槽（6）从所述外延片（1）顶面向下延伸，其底面低于所述P+沟道层（2）底面，高于第一沟槽（4）底面，第二沟槽（6）和第一沟槽（4）相交；步骤S600，在第二沟槽（6）内依次制备栅介质（7）和多晶硅（8）；步骤S700，在外延片上沉积隔离层（9），并在N+层（3）和多晶硅（8）处开窗，分别制备S极电极（10）和G极电极（11）；步骤S800，在外延片底部制备D极电极（12），整个器件制备完毕。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种沟槽型SiC MOSFET及其制备方法
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