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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种DRAM的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有由下至上依次堆叠的氮化层、第一氧化层、阻挡层和第二氧化层；刻蚀第二氧化层、阻挡层、第一氧化层、氮化层和部分衬底以形成深沟槽，并在深沟槽中填充第一多晶硅层，且第一多晶硅层覆盖第二氧化层；执行化学机械研磨工艺，研磨第一多晶硅层和第二氧化层使得研磨停于阻挡层上，化学机械研磨工艺采用的研磨液为酸性研磨液，化学机械研磨工艺采用的研磨液包括带正电的研磨颗粒，第一多晶硅层和第二氧化层在酸性研磨液下带负电，阻挡层在酸性研磨液下带正电；刻蚀去除阻挡层和第一氧化层。本发明能够提高化学机械研磨工艺的研磨均一性，并且避免对氮化层产生研磨损伤。
主权项：1.一种DRAM的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有由下至上依次堆叠的氮化层、第一氧化层、阻挡层和第二氧化层；刻蚀所述第二氧化层、所述阻挡层、所述第一氧化层、所述氮化层和部分所述衬底以形成深沟槽，并在所述深沟槽中填充第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层覆盖所述第二氧化层；执行化学机械研磨工艺，依次研磨所述第一多晶硅层和所述第二氧化层使得研磨停于所述阻挡层上，其中所述化学机械研磨工艺采用的研磨液为酸性研磨液，所述化学机械研磨工艺采用的研磨液包括带正电的研磨颗粒，所述第一多晶硅层和所述第二氧化层在酸性研磨液下带负电，所述阻挡层在酸性研磨液下带正电；以及，刻蚀去除所述阻挡层和所述第一氧化层暴露出所述氮化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 DRAM的制备方法
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