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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种大幅降低漏电的背接触电池及其制作方法和光伏组件，包括第一半导体层和第二半导体层，以及导电膜层，相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，且在第一半导体层和第二半导体层的叠加区域对应的导电膜层上开设有绝缘槽，其中，第二半导体层包含P型掺杂硅层，位于第二半导体开口区内的P型掺杂硅层依次分为第一边缘掺杂区、中间掺杂区和第二边缘掺杂区，中间掺杂区的有效掺杂浓度高于第一边缘掺杂区、第二边缘掺杂区的有效掺杂浓度，且在位于绝缘槽内的叠加区域上设置沿厚度方向延伸的注氧隔离区。本发明能够大幅降低电池的暗电流，同时提升钝化效果，从而能够提高电池转换效率。
主权项：1.一种降低漏电的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，以及在第一半导体层和第二半导体层外表面设置的导电膜层，相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，所述第二半导体层设置在第二半导体开口区内且两端分别向外延伸至覆盖叠加在相邻的第一半导体层的部分背面外，且在第一半导体层和第二半导体层的叠加区域对应的导电膜层上开设有绝缘槽，其中，第一半导体层包含N型掺杂硅层，第二半导体层包含P型掺杂硅层，其特征在于，位于第二半导体开口区内的P型掺杂硅层依次分为第一边缘掺杂区、中间掺杂区和第二边缘掺杂区，第一边缘掺杂区、中间掺杂区和第二边缘掺杂区分别沿第二半导体开口区的长度方向延伸，中间掺杂区的有效掺杂浓度高于第一边缘掺杂区、第二边缘掺杂区的有效掺杂浓度，且在位于绝缘槽所在区域下方对应的第一半导体层和第二半导体层的叠加区域上设置沿厚度方向延伸的注氧隔离区。
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权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种大幅降低漏电的背接触电池及其制作方法和光伏组件
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