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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一自旋轨道转矩式spinorbittorque,SOT层于一基底上，然后形成一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于该SOT层上，形成一第一遮盖层于该MTJ上，形成一第一金属间介电层于该第一遮盖层上，形成一第二遮盖层于该第一遮盖层以及该第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于该第一遮盖层、该第一金属间介电层以及该第二遮盖层上，再平坦化该第一遮盖层、该第一金属间介电层、该第二遮盖层以及该第二金属间介电层。
主权项：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成自旋轨道转矩式spinorbittorque,SOT层于基底上；形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于该自旋轨道转矩式层上；形成第一遮盖层于该磁性隧穿结上；形成第一金属间介电层于该第一遮盖层上；以及形成第二遮盖层于该第一遮盖层以及该第一金属间介电层上。
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百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
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