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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要：本发明实施例提供一种LTPSTFT阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题，该LTPSTFT阵列基板包括：衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管；所述金属块设置于所述衬底上，所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
主权项：1.一种LTPSTFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底；金属块，设置于所述衬底上；所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；至少一个薄膜晶体管，包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度；所述薄膜晶体管还包括源极和漏极；所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接；所述金属块在所述衬底上的垂直投影，设置于所述源极靠近所述衬底一侧的表面在所述衬底上的垂直投影，和所述漏极靠近所述衬底一侧的表面在所述衬底上的垂直投影之间；所述源极靠近所述衬底一侧的表面在所述衬底上的垂直投影、所述漏极靠近所述衬底一侧的表面在所述衬底上的垂直投影与所述金属块在所述衬底上的垂直投影之间具有间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 LTPS TFT阵列基板及显示装置
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