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申请/专利权人：文华学院
摘要：本发明公开了一种具有梯度带隙结构的锡硫化合物太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括透明导电基底层、n‑SnS2层或n‑SnS2TiO2层或n‑ZnO层、梯度带隙结构的p‑SnSNp‑SnS吸收层以及背电极层，其中的梯度带隙结构的p‑SnSNp‑SnS吸收层为利用PECVD法制备SnS薄膜过程中控制通入氮气的时间和分压条件而获得，由于氮气掺杂量的不同，造成p‑SnSN薄膜的禁带宽度的不同，关闭氮气再进行p‑SnS薄膜的制备。该梯度带隙结构膜层可作为SnS2SnS2TiO2层或n‑ZnO层与p‑SnS薄膜之间的过渡层结构，可以降低层间电阻，同时，梯度带隙结构能够有效提高光生载流子的寿命以及电池的短路电流密度，进而提高电池的光电转换效率，且该掺杂工艺在薄膜制备过程中进行，没有增加额外的工艺步骤。
主权项：1.一种具有梯度带隙结构的锡硫化合物太阳能电池的制备方法，其特征在于，具有梯度带隙结构的锡硫化合物太阳能电池的结构为：包括依次层叠的透明导电基底层、n-SnS2层或n-SnS2TiO2层或n-ZnO层、具有梯度带隙的p-SnSNp-SnS吸收层以及背电极层，其中的具有梯度带隙的p-SnSNp-SnS吸收层为利用PECVD法制备SnS薄膜过程中控制通入氮气的时间和分压条件而获得，获得具有不同带隙宽度的p-SnSNp-SnS薄膜，其中n-SnS2层表示n型SnS2层，n-SnS2TiO2层表示在n-SnS2表面修饰TiO2层；SnSN表示氮掺杂SnS薄膜，p-SnS薄膜为无氮气条件得到的p型SnS薄膜；具有梯度带隙结构的锡硫化合物太阳能电池的制备方法包括以下步骤：1、在衬底上制备透明导电基底层或直接购买透明导电基底层，并进行清洗；2、在透明导电基底层上制备n-SnS2层或n-SnS2TiO2或n-ZnO层并进行相应的热处理步骤；3、在步骤2中获得薄膜的基础上进行梯度带隙结构的p-SnSNp-SnS的制备并进行相应的热处理步骤；4、在步骤3制备获得的叠层薄膜的基础上制备背电极层，得到具有梯度带隙结构的锡硫化合物太阳能电池。
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百度查询： 文华学院 具有梯度带隙结构的锡硫化合物太阳能电池及其制备方法
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