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申请/专利权人：苏州科技大学
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种提升太赫兹探测器响应度的器件，包括衬底，在衬底上为AlN成核层，在AlN成核层上为第一n+GaN欧姆接触层，作为器件的源极和漏极，在第一n+GaN欧姆接触层上是外延生长的InAlN电子发射层，在InAlN电子发射层上外延生长n‑GaN有源层和第二n+GaN欧姆接触层，构成器件的栅极，第一n+GaN欧姆接触层上穿出鳍式电子气沟道，鳍式电子气沟道从衬底生长且贯穿栅极与源极和漏极相连；本发明器件实现栅极对二维电子气的立体调控，从而增强栅极了对沟道的调制能力，降低栅极长度，提高了器件响应太赫兹波的速度。
主权项：1.一种提升太赫兹探测器响应度的器件，其特征在于，包括衬底，在衬底上为AlN成核层，厚度为30-50nm；在AlN成核层上为第一n+GaN欧姆接触层，厚度为0.5-1.5μm，掺杂浓度1-2*1018cm-3，淀积金属TiAlNiAu形成欧姆接触，作为器件的源极和漏极；在第一n+GaN欧姆接触层上是外延生长的InAlN电子发射层，厚度为80-200nm，In组分的百分比为14％-22％；在InAlN电子发射层上外延生长掺杂浓度为0.5-2*1017cm-3，厚度为0.5-2μm的n-GaN有源层和第二n+GaN欧姆接触层；在第二n+GaN欧姆接触层上淀积金属TiAlNiAu，与n+GaN形成欧姆接触，构成器件的栅极；第一n+GaN欧姆接触层上穿出鳍式电子气沟道，鳍式电子气沟道从衬底生长且贯穿栅极与源极和漏极相连，且位于淀积金属TiAlNiAu之下；所述鳍式电子气沟道为四棱柱，且底部到顶部渐窄设置，顶部的面积不低于所述栅极的顶部面积的50％；所述鳍式电子气沟道的顶部宽度小于等于15μm；所述鳍式电子气沟道包括第一相对柱面和第二相对柱面，第一相对柱面和第二相对柱面均等角度倾斜靠拢；所述第一n+GaN欧姆接触层厚度为0.5-1.5μm，掺杂浓度为1-2*1018cm-3；所述第二n+GaN欧姆接触层厚度为100-400nm，掺杂浓度为1-2*1018cm-3。
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权利要求：
百度查询： 苏州科技大学 一种提升太赫兹探测器响应度的器件
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