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申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池的制造方法，包括：提供具有相对的第一面及第二面的基底，第一面包括交替分布的第一区和第二区，第一面上依次形成有目标掺杂半导体层及目标掺杂介质层；在第二面上形成第一掺杂层，同步在目标掺杂介质层上形成第二掺杂层，第一掺杂层的掺杂类型与目标掺杂半导体层的掺杂类型不同；进行图形化工艺，以去除第一区对应的第二掺杂层，图形化工艺包括局部激光照射工艺；刻蚀去除第一区对应的目标掺杂介质层；刻蚀去除第一区对应的目标掺杂半导体层，还去除第二区对应的第二掺杂层；刻蚀去除第二区对应的目标掺杂介质层，保留第二区对应的目标掺杂半导体层。本申请实施例可以减轻激光照射工艺对太阳能电池造成的损伤。
主权项：1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有相对的第一面及第二面，所述第一面为受光面，所述第一面包括交替分布的第一区和第二区，所述第一面上形成有目标掺杂半导体层，所述目标掺杂半导体层背离所述第一面的表面上形成有目标掺杂介质层；在所述第二面上形成第一掺杂层，且同步在所述目标掺杂介质层上形成第二掺杂层，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述目标掺杂半导体层的掺杂类型不同；进行图形化工艺，以去除所述第一区对应的所述第二掺杂层，并露出所述第一区对应的所述目标掺杂介质层，其中，所述图形化工艺包括局部激光照射工艺；刻蚀去除所述第一区对应的所述目标掺杂介质层，以露出所述第一区对应的所述目标掺杂半导体层；刻蚀去除所述第一区对应的所述目标掺杂半导体层，且还刻蚀去除所述第二区对应的所述第二掺杂层，露出所述第二区对应的所述目标掺杂介质层；刻蚀去除所述第二区对应的所述目标掺杂介质层，保留所述第二区对应的所述目标掺杂半导体层作为掺杂半导体部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池的制造方法
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