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申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
主权项：1.一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量份数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1-0.5份氢氟酸0.2-10份氟化铵5-40份超纯水30-80份其中，所述的复合功能剂为基于聚乙烯醇PVA的杂化材料，接枝有聚乙二醇PEG和硅烷偶联剂；所述的复合功能剂的结构式：[-CH2-CHOH-]n-PVA-g-[-O-CH2-CH2m-O-]x-PEG-g-[-SiOR3]y其中，n代表PVA的聚合度n＝35-200；m表示PEG的聚合度m＝20-50；x表示PEG接枝的数量x＝5-40；y表示硅烷偶联剂接枝的数量y＝5-30；R代表烷基，所述烷基为C原子数小于8的直链烷基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用
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