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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供一种制造及蚀刻半导体装置的方法。一种用于制造半导体装置的示例性方法包含在半导体基板的密集区及隔离区中形成鳍片；进行电浆干式蚀刻工艺以移除密集区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在密集区中形成第一沟槽，且移除隔离区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在隔离区中形成第二沟槽，其中电浆干式蚀刻工艺包含：进行钝化取向工艺及蚀刻剂取向工艺；以及控制钝化取向工艺及蚀刻剂取向工艺以形成具有第一临界尺寸及第一深度的第一沟槽，并形成具有第二临界尺寸及第二深度的第二沟槽。
主权项：1.一种用于制造一半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体基板的一密集区及一隔离区中形成多个鳍片；进行一电浆蚀刻工艺以移除该密集区中的该至少一选定鳍片的一部分，从而在该密集区中形成一第一沟槽，并移除该隔离区中的该至少一选定鳍片的一部分，从而在该隔离区中形成一第二沟槽，其中该电浆蚀刻工艺包括以下步骤：进行一钝化取向工艺及一蚀刻剂取向工艺；以及控制该钝化取向工艺及该蚀刻剂取向工艺，以形成具有一第一临界尺寸及一第一深度的该第一沟槽，且形成具有一第二临界尺寸及一第二深度的该第二沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造及蚀刻半导体装置的方法
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