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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，具体涉及半导体技术领域。所述制备方法包括：提供基底，所述基底上形成有金属层及位于金属层上的第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；在所述第一介质层和所述第二介质层中形成接触孔，所述接触孔底部暴露所述金属层；在所述接触孔中填充导电材料，形成初始插塞；固化处理所述第二介质层使其形成拉伸应力层，所述拉伸应力层挤压所述第一介质层向所述初始插塞靠近；采用化学机械抛光工艺去除所述拉伸应力层和部分所述导电材料，形成接触插塞。本发明可以有效防止或最大程度的减小CMP抛光液从导电材料和第一介质层之间的间隙滑落下来，攻击底部金属层的可能性，提高器件的良率。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有金属层和位于所述金属层上的第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；在所述第一介质层和所述第二介质层中形成接触孔，所述接触孔底部暴露所述金属层；在所述接触孔中填充导电材料，形成初始插塞；固化处理所述第二介质层使其形成拉伸应力层，所述拉伸应力层挤压所述第一介质层向所述初始插塞靠近；采用化学机械抛光工艺去除所述拉伸应力层、部分第一介质层及部分导电材料，形成接触插塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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