龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件结构的制备方法及半导体结构。该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包括有源区；在有源区上形成栅极结构；对未被栅极结构覆盖的有源区的表面进行氮化处理以形成氮化介质层，然后在氮化介质层下的有源区中制备轻掺杂漏区；在栅极结构的侧壁上形成侧墙结构；在未被栅极结构和侧墙结构覆盖的有源区中制备源漏区。该半导体结构的制备方法能够有效改善晶体管在制备过程中受到的损伤。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区；在所述有源区上形成栅极结构；在未被所述栅极结构覆盖的所述有源区上进行氮化处理以形成氮化介质层，然后在所述氮化介质层下的所述有源区中制备轻掺杂漏区；在所述栅极结构的侧壁上形成侧墙结构；在未被所述栅极结构和所述侧墙结构覆盖的所述有源区中制备源漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号