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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的清洗方法及半导体结构。所述半导体结构的清洗方法包括如下步骤：提供待清洗的半导体结构，所述半导体结构包括衬底，所述衬底包括相对分布的正面和背面；采用第一酸性清洗剂对所述衬底的背面进行第一湿法清洗，于所述衬底的背面形成第一凹陷；形成至少填充于所述第一凹陷内的第一牺牲层；采用第二酸性清洗剂对所述衬底的背面进行第二湿法清洗；去除所述第一牺牲层。本发明使得衬底的背面上硅尖峰的高度分布均匀，提高了衬底的背面的平坦度，从而减少半导体结构内的漏电。
主权项：1.一种半导体结构的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：提供待清洗的半导体结构，所述半导体结构包括衬底，所述衬底包括相对分布的正面和背面；采用第一酸性清洗剂对所述衬底的背面进行第一湿法清洗，于所述衬底的背面形成第一凹陷；形成至少填充于所述第一凹陷内的第一牺牲层；采用第二酸性清洗剂对所述衬底的背面进行第二湿法清洗；去除所述第一牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的清洗方法及半导体结构
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