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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明属于传感器技术领域，公开了一种双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法，包括双平面栅场效应晶体管和扩展栅极。双平面栅场效应晶体管包括基底，基底上设置下介电层，下介电层上依次排列设置第一平面栅极、源极、半导体层、漏极和第二平面栅极，半导体层上设置上介电层，上介电层上设置顶栅极；扩展栅极与顶栅极连接。本发明基于单平面栅离子场效应晶体管，在其下介电层上设置第二平面栅极，可减少半导体层与基底之间存储的电荷量，从而降低下介电层电容，提升场效应晶体管的电容耦合比，最终提高钾离子敏场效应晶体管的灵敏度。本发明双平面栅钾离子敏场效应晶体管具有极高的灵敏度，可用于检测环境水质及人体体液中的钾离子浓度，具有良好的应用前景。
主权项：1.一种双平面栅钾离子敏场效应晶体管，其特征在于，包括双平面栅场效应晶体管和扩展栅极；双平面栅场效应晶体管包括基底1，基底1上设置下介电层2，下介电层2上依次排列设置第一平面栅极3、源极5、半导体层7、漏极6和第二平面栅极4；半导体层7上设置上介电层8，上介电层8上设置顶栅极9；顶栅极9与扩展栅极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法
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