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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

摘要：提出一种垂直场效应晶体管结构，具有：半导体本体100a‑100c，其具有第一端子区14、漂移区12和第二端子区30；布置在所述第一和第二端子区14，30之间的沟道区20；延伸到半导体本体100a‑100c中的第一沟槽G0'；布置在第一沟槽G0'中的控制电极40；40'；连接在第一端子区和第二端子区14，30之间的第一电流路径；其中，肖特基结布置在漂移区12中并且形成在埋入所述漂移区域12内的高导通区60和所述漂移区12之间，其中，所述高导通区60；60'；60”与所述第二端子区30电连接；连接在第一端子区和第二端子区14，30之间的第二电流路径。pn结布置在漂移区12中并且形成在漂移区12中的第二电导类型p区130与漂移区2之间。还提出一种相应的用于制造垂直场效应晶体管结构的方法。

主权项：1.垂直场效应晶体管结构，具有：半导体本体100a-100c，具有第一电导类型n的第一端子区14、漂移区12和第二端子区30；布置在所述第一和第二端子区14，30之间的、第一电导类型n的或与第一电导类型n互补的第二电导类型p的沟道区20；延伸到半导体本体100a-100c中的多个第一沟槽G0'，所述第一沟槽从第二端子区30延伸到达漂移区12中并且构成所述沟道区20的和所述第二端子区30的鳍FI；布置在第一沟槽G0'中的控制电极40；40'，所述控制电极布置为与沟道区20相邻并且相对于半导体本体100a-100c绝缘；和连接在所述第一端子区和第二端子区14，30之间并平行于所述沟道区20的第一电流路径，所述第一电流路径具有至少一个肖特基结并且构造为用于当达到施加在所述第一端子区和第二端子区14，30之间的反向电压时导通；其中，所述肖特基结布置在所述漂移区12中并且形成在埋入所述漂移区12内的高导通区60和所述漂移区12之间，其中，所述高导通区60；60'；60”与所述第二端子区30电连接；连接在所述第一端子区和第二端子区14，30之间并平行于所述沟道区20的第二电流路径，所述第二电流路径具有至少一个pn结并且构造为用于当达到施加在所述第一端子区和第二端子区14，30之间的反向电压时导通；其中，所述pn结布置在所述漂移区12中并且形成在布置于所述漂移区12中的第二电导类型p区130与所述漂移区2之间，其中，所述第二电导类型p区130与所述第二端子区30电连接。

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