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申请/专利权人：C2安培有限公司
摘要：提出了一种垂直金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET以及一种形成垂直MOSFET的方法。该MOSFET包括：顶部接触部；底部接触部；纳米线602，该纳米线在该顶部接触部与该底部接触部之间形成电荷传输通道；以及包围该纳米线602圆周的包绕式栅极650，该包绕式栅极650具有在该纳米线602的纵向方向上跨越该纳米线602的一部分的延伸部，其中，该包绕式栅极650包括栅极部分614以及用于控制该电荷传输通道中的电荷传输的场板部分616，并且其中，该场板部分616布置在距该纳米线602的中心的第一径向距离636处，并且该栅极部分614布置在距该纳米线602的中心的第二径向距离634处；其特征在于，该第一径向距离636大于该第二径向距离634。
主权项：1.一种垂直金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，包括：源极接触部；漏极接触部；纳米线，该纳米线在该源极接触部与该漏极接触部之间形成电荷传输通道；以及包围该纳米线圆周的包绕式栅极，该包绕式栅极具有在该纳米线的纵向方向上跨越该纳米线的一部分的延伸部，其中，该包绕式栅极包括栅极部分以及用于控制该电荷传输通道中的电荷传输的场板部分，其中，该场板部分布置在距该纳米线的中心的第一径向距离处，并且该栅极部分布置在距该纳米线的中心的第二径向距离处，其中，该第一径向距离大于该第二径向距离，其中，该纳米线的带隙在邻近该场板部分处比在邻近该栅极部分处要大，以及其中，该场板部分邻近该源极接触件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： C2安培有限公司 垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法
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