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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
摘要：本发明公开了一种混合沟道SiCMOSFET及其制造方法。该混合沟道SiCMOSFET包括栅沟槽，掺杂类型为第一类型的衬底、外延层和源区，掺杂类型为第二类型的阱区，于栅沟槽的侧壁及底部形成栅介质，于栅介质中形成栅极，隔离介质完全覆盖栅极，于相邻隔离介质之间集成肖特基二极管。本发明通过结构设计，在SiCMOSFET的元胞结构中集成横向、纵向导电沟道，显著增大了器件电流密度。同时，本发明将导电沟道设置于半导体内部，可以在现有的SiCMOSFET技术基础上，进一步降低元胞尺寸，提高沟道密度。所集成的肖特基二极管可以明显改善器件的第三象限特性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。
主权项：1.一种混合沟道SiCMOSFET，其特征在于，包括：漏极；位于漏极之上的衬底；位于衬底之上的外延层；位于外延层之中的阱区；所述阱区顶面与所述外延层顶面的间距范围为0.1µm~1.0µm；位于阱区之中的源区；所述源区边界与所述阱区边界的间距范围为0.1µm~0.5µm；位于外延层之中的栅沟槽，所述栅沟槽的左右底角均位于相邻源区之中，所述栅沟槽下方存在左右相邻阱区，栅沟槽下方的相邻阱区的间距范围为0.2µm~1.0µm；位于栅沟槽侧壁及底部的栅介质；位于栅沟槽之中的栅极，栅极为栅介质三面环绕；位于外延层之上的隔离介质，隔离介质完全覆盖栅极；位于相邻隔离介质之间的外延层表面的肖特基电极；位于隔离介质的两侧及之上的源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京第三代半导体技术创新中心 混合沟道SiC MOSFET及其制造方法
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