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申请/专利权人：西安龙飞电气技术有限公司

摘要：本发明公开了一种具有栅氧保护结构的碳化硅MOSFET器件及制备方法，器件包括：漏极和源极金属、N+型碳化硅衬底、N‑型第一碳化硅外延层、N‑型第二碳化硅外延层、层间绝缘介质、P型和N型第一掺杂区、N+型第一源区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N‑型第二碳化硅外延层直至N‑型第一碳化硅外延层，外侧为P+型源区，内部及层间绝缘介质上有源极金属；栅极沟槽内有栅氧化层，还有多晶硅作为栅极，栅氧化层与N+型第二源区和N+型第一源区接触；N+型第一源区和P+型源区重叠并接触源极金属；P型体区和N+型第二源区部分上表面接触源极金属，P型体区一侧接触P+型源区。本发明可解决栅氧化层电场过高问题。

主权项：1.一种具有栅氧保护结构的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：由下至上依次设置的漏极金属17、N+型碳化硅衬底01、N-型第一碳化硅外延层02、N-型第二碳化硅外延层06、层间绝缘介质15、源极金属16；其中，所述N-型第一碳化硅外延层02中顶层区域内两侧设置有P型第一掺杂区03，两侧的P型第一掺杂区03之间设置有N型第一掺杂区04；一侧的P型第一掺杂区03中部分顶层区域内设置有N+型第一源区05；所述N-型第二碳化硅外延层06中部分顶层区域内设置有P型体区07，所述P型体区07中一侧设置有N+型第二源区08；所述N-型第二碳化硅外延层06中，两侧设置有源极沟槽09，两个源极沟槽09之间设置有栅极沟槽12；所述源极沟槽09贯穿所述N-型第二碳化硅外延层06和所述P型第一掺杂区03，下端延伸至所述N-型第一碳化硅外延层02内；所述源极沟槽09的外侧设置有P+型源区10；所述源极金属16设置于所述源极沟槽09的内部及所述层间绝缘介质15之上，并通过层间绝缘介质15的空隙接触部分P型体区07和N+型第二源区08的上表面；所述P型体区07远离N+型第二源区08的一侧与一个源极沟槽09的P+型源区10接触；所述栅极沟槽12的内部设置有栅氧化层13，并淀积有多晶硅14作为栅极，所述栅极沟槽12的一侧栅氧化层13与所述N+型第二源区08接触，底侧的栅氧化层13与所述N+型第一源区05接触；所述N+型第一源区05远离栅氧化层13的一侧与另一个源极沟槽09的P+型源区10重叠并接触内部的源极金属16。

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