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申请/专利权人：合肥世纪金芯半导体有限公司
摘要：本实用新型涉及碳化硅单晶技术领域，尤其为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构包括第一线圈筒，所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环，所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环，所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈。本实用新型中，通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器，加热时，可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节，可以根据不同区域进行单独调节，可调节性更强。
主权项：1.一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构1和第二加热机构2，其特征在于：所述第一加热机构1包括第一线圈筒6，所述第一线圈筒6上端固定连接有第一限位环5，所述第一线圈筒6下端固定连接有第四限位环13，所述第一线圈筒6表面缠绕有第一线圈7。
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百度查询： 合肥世纪金芯半导体有限公司 一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构
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