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申请/专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
摘要：本发明公开了基于多量子阱吸收层的单行载流子光电探测器及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、无掺杂多量子阱吸收层、无掺杂收集层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触层上，所述n接触设于所述n型接触层上，通过使用无掺杂多量子阱结构作为吸收层来分离光生电子和光生空穴，可解决普通单行载流子光电探测器中p型掺杂光吸收层中的光生电子扩散速度慢的问题。
主权项：1.基于多量子阱吸收层的单行载流子光电探测器，其特征在于，包括衬底8、自下而上依次生长在衬底8上的p型接触层1、重p型掺杂电子阻挡层2、无掺杂多量子阱吸收层3、无掺杂收集层4和n型接触层5，还包括p接触6和n接触7，所述p接触6蒸镀在所述p型接触层1上且位于重p型掺杂电子阻挡层2的外侧，所述n接触7蒸镀在所述n型接触层5上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南汇思光电科技有限公司 基于多量子阱吸收层的单行载流子光电探测器及制备方法
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