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申请/专利权人:杭州积海半导体有限公司
摘要:本发明公开了一种半导体器件的制作方法,属于半导体技术领域。所述制作方法包括:提供一衬底,在衬底上形成伪栅极;在伪栅极两侧形成侧墙结构;在所衬底上形成层间介质层,介质层的表面与伪栅极的表面齐平;去除伪栅极,形成凹部;在凹部的底部和侧壁形成第一栅极介质层,第一栅极介质层为高介电常数介质;在第一栅极介质层上形成第二栅极介质层;对第一栅极介质层和第二栅极介质层进行退火处理;在第二栅极介质层上沉积金属功函数层和金属层,形成金属栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法,能够防止因第一栅极介质层结晶化而导致的漏电流,能够大量的减少界面缺陷,降低应力诱导漏电流,改善负偏压温度不稳定。
主权项:1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一衬底,在所述衬底上形成伪栅极;在所述伪栅极两侧形成侧墙结构;在所述衬底上形成层间介质层,所述介质层的表面与所述伪栅极的表面齐平;去除所述伪栅极,形成凹部;在所述凹部的底部和侧壁形成第一栅极介质层,所述第一栅极介质层为高介电常数介质;在所述第一栅极介质层上形成第二栅极介质层;对所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层进行退火处理;以及在所述第二栅极介质层上沉积金属功函数层和金属层,形成金属栅极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州积海半导体有限公司 一种半导体器件的制作方法
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