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申请/专利权人：意法半导体股份有限公司
摘要：本文涉及半导体器件。本公开涉及导电阻挡层上的导电结构的实施例，其将导电结构与导电阻挡层存在于其上的导电层分离。间隙或缝隙沿着导电结构的相应表面并且沿着一个或多个绝缘层的相应表面延伸。间隙或缝隙将一个或多个绝缘层的相应表面与导电结构的相应表面分隔。间隙或缝隙提供了空隙，当导电结构暴露于温度变化时，其可以膨胀到该空隙中。例如，当将引线键合耦合到导电结构时，导电结构的温度可能增加并膨胀到间隙或缝隙中。然而，即使在膨胀状态下，导电结构的相应表面也不与一个或多个绝缘层的相应表面物理接触。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有第一表面的导电镶嵌层；在所述导电镶嵌层上的导电阻挡层，所述导电阻挡层被耦合到所述导电镶嵌层，所述导电阻挡层具有背向所述第一表面的第二表面；在所述导电阻挡层上的至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层包括从所述导电阻挡层延伸的第一侧壁，所述第一侧壁横向于所述第一表面和所述第二表面；耦合到所述导电阻挡层的导电结构，所述导电结构通过所述导电阻挡层与所述导电镶嵌层分隔，所述导电结构包括：第一部分，在第一方向上从所述导电阻挡层的所述第二表面延伸；在所述第一部分上的第二部分，并且所述第二部分在横向于所述第一方向的第二方向上延伸；以及第二侧壁，从所述导电阻挡层的所述第二表面沿所述第一部分延伸；在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的缝隙，所述缝隙沿所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸，并且将所述第一侧壁与所述第二侧壁分隔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体股份有限公司 半导体器件
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