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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：在一个总体方面中，一种设备可包括具有半导体区域112,122的衬底110,410和限定在半导体区域中并且具有侧壁的沟槽10,40。该设备可包括设置在沟槽中并且通过屏蔽电介质SD10与沟槽的侧壁绝缘的屏蔽电极130,430，该屏蔽电介质具有低k电介质部分LK10,LK40和高k电介质部分HK10,HK40。该设备可包括设置在沟槽中并且至少部分地被栅极电介质GD10,GD40包围的栅极电极120,420以及设置在屏蔽电极和栅极电极之间的电极间电介质IE10,IE40。
主权项：1.一种设备，所述设备包括：衬底110,410，所述衬底具有半导体区域112,122；沟槽10,40，所述沟槽限定在所述半导体区域中并且具有侧壁；屏蔽电极130,430，所述屏蔽电极设置在所述沟槽中并且通过屏蔽电介质SD10与所述沟槽的所述侧壁绝缘，所述屏蔽电介质具有低k电介质部分LK10,LK40和高k电介质部分HK10,HK40；栅极电极120,420，所述栅极电极设置在所述沟槽中并且至少部分地被栅极电介质GD10,GD40包围；以及电极间电介质IE10,IE40，所述电极间电介质设置在所述屏蔽电极和所述栅极电极之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 具有高K屏蔽电介质的屏蔽栅极沟槽功率MOSFET
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