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申请/专利权人：苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
主权项：1.一种石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置，其特征在于，包括：坩埚部（1），其具有中空结构，所述中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁（101）；石墨部件（2），其与所述坩埚部（1）同轴设置，其位于所述坩埚部（1）的上方，其下端与所述坩埚壁（101）的上端密封固定连接；导流件（3），其包括柱形段（301），所述柱形段（301）位于所述石墨部件（2）的内部，所述柱形段（301）与所述石墨部件（2）同轴设置，所述柱形段（301）的外壁与所述石墨部件（2）的内表面留有间隔，其位于所述五氧化二钽容纳部的上方，所述间隔与所述五氧化二钽容纳部相连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州优晶半导体科技股份有限公司 石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件
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