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申请/专利权人：江西耀驰科技有限公司

摘要：本发明提供一种外延片制备方法、外延片及发光二极管，所述制备方法包括：提供第一衬底；在所提供的第一衬底上依次沉积缓冲层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、及P型电流扩展层；在P型电流扩展层上蒸镀复合反射层；在复合反射层上键合第二衬底；去除第一衬底及缓冲层至露出N型粗化层；在所露出的N型粗化层上沉积与N型粗化层材料及组分相同的N型粗化缓冲层；在N型粗化缓冲层上沉积N型欧姆接触层。本发明解决了现有腐蚀GaInP截止层时会对N型欧姆接触层造成腐蚀损伤，导致N型欧姆接触层出现厚度差异及凹凸不平，而后续的N电极制作时容易出现电极脱落，且引起电压不稳定的问题。

主权项：1.一种外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一衬底；在所提供的所述第一衬底上依次沉积缓冲层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、及P型电流扩展层；在所述P型电流扩展层上蒸镀复合反射层；在所述复合反射层上键合第二衬底；去除所述第一衬底及所述缓冲层至露出所述N型粗化层；在所露出的所述N型粗化层上沉积与所述N型粗化层材料及组分相同的N型粗化缓冲层；在所述N型粗化缓冲层上沉积N型欧姆接触层；所述在所提供的所述第一衬底上依次沉积缓冲层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、及P型电流扩展层的步骤包括：在所述第一衬底上沉积厚度为100~300nm的缓冲层，所述缓冲层材料为GaAs；在所述缓冲层上沉积厚度为900~1000nm的N型粗化层，所述N型粗化层材料为（AlxGa1-x）0.5In0.5P，其中0.5x0.8；在所述N型粗化层上沉积厚度为1500~2500nm的N型电流扩展层，所述N型电流扩展层材料为（AlyGa1-y）0.5In0.5P，其中0.3y0.5；在所述N型电流扩展层上沉积厚度为300~350nm的N型限制层，所述N型限制层材料为AlInP；在所述N型限制层上沉积厚度为160~220nm的多量子阱层，所述多量子阱层包括交替层叠沉积n次的量子阱层和量子垒层，其中10n20，所述量子阱层和所述量子垒层为不同Al组分的两种AlGaInP材料，其中所述量子阱层中的Al组分为0.05~0.2，所述量子垒层中的Al组分为0.5~0.7；在所述多量子阱层上沉积厚度为350~400nm的P型限制层，所述P型限制层材料为AlInP；在所述P型限制层上沉积厚度为1000~1500nm的P型电流扩展层，所述P型电流扩展层材料为GaP。

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