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申请/专利权人:六智韬新能源科技(上海)有限公司
摘要:本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括:将单晶硅片制绒、清洗,在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构;利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理;清洗。该方法使单晶硅片的侧面和边缘部分正面、背面的金字塔,菱角,突刺和凹槽的峰和谷变圆滑,而硅片其他区域的金字塔结构维持不变,不改变表面反射率,可以使得单晶硅片具有柔性的特征,从而提高力学性能。
主权项:1.一种柔性单晶硅片的制备方法,包括以下步骤:1将单晶硅片制绒、清洗,在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构;2利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理;所述圆滑处理具体为:把相同尺寸的多个单晶硅片叠加在一起,把硅片放入等离子体刻蚀机的等离子体腔,用夹具固定硅片,利用等离子体对多个硅片的侧面同时刻蚀,使硅片侧面以及边缘部分的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷变得圆滑;对单晶硅片的侧面的菱角、突刺和凹槽进行圆滑处理,使棱角、突刺和凹槽的曲率半径大于50纳米;对单晶硅片的边缘区域进行圆滑处理,处理区域到硅片边缘的距离不大于5毫米;3清洗。
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