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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种降低死区损耗的GaNHEMT半桥双向串扰自适应抑制电路，属于电力电子技术领域，包括半桥BUCK功率级模块，高侧GaNHEMT的源极与低侧GaNHEMT的漏极之间为半桥BUCK功率级模块的桥臂中点；半桥BUCK功率级模块的桥臂中点连接高压dvdt检测电路的一端，高压dvdt检测电路的另一端连接自适应延时电路的一端，自适应延时电路的另一端连接正负压产生电路的一端，正负压产生电路的另一端连接NMOS的源极，NMOS的栅极连接反相输出缓冲器的一端，NMOS的漏极与低侧GaNHEMT的栅极连接。
主权项：1.一种降低死区损耗的GaNHEMT半桥双向串扰自适应抑制电路，其特征在于，包括半桥BUCK功率级模块，半桥BUCK功率级模块的桥臂包括高侧GaNHEMT和低侧GaNHEMT；高侧GaNHEMT的栅极连接高侧驱动电阻的一端，高侧驱动电阻的另一端连接高侧驱动输出，高侧GaNHEMT的漏极连接输入直流电源VIN，高侧GaNHEMT的源极连接低侧GaNHEMT的漏极；低侧GaNHEMT的栅极连接低侧驱动电阻的一端，低侧驱动电阻的另一端连接低侧驱动输出，低侧GaNHEMT源极连接地；低侧GaNHEMT设置栅漏米勒电容；高侧GaNHEMT的源极与低侧GaNHEMT的漏极之间为半桥BUCK功率级模块的桥臂中点；半桥BUCK功率级模块的桥臂中点连接高压dvdt检测电路的一端，高压dvdt检测电路的另一端连接自适应延时电路的一端，自适应延时电路的另一端连接正负压产生电路的一端，正负压产生电路的另一端连接NMOS的源极，NMOS的栅极连接反相输出缓冲器的一端，NMOS的漏极与低侧GaNHEMT的栅极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种降低死区损耗的GaN HEMT半桥双向串扰自适应抑制电路
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