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申请/专利权人：硅晶体有限公司
摘要：本发明涉及生长至少一个单晶的升华系统和方法，更具体地涉及基于物理气相传输生长块状半导体单晶、例如碳化硅的系统和方法。公开了一种用于通过升华生长工艺生长半导体材料的至少一个单晶的升华系统，所述升华系统包括：具有纵向轴线120和沿所述纵向轴线延伸的侧壁116的坩埚102，其中坩埚包括用于至少一个籽晶110的固定装置和用于容纳原材料108的至少一个原材料隔室104；以及加热系统，形成为沿所述坩埚的纵向轴线在所述坩埚的圆周周围产生温度场，其中坩埚包括至少一个第一热辐射腔118，所述至少一个第一热辐射腔与所述固定装置相对设置并且与所述原材料隔室相邻，所述第一热辐射腔在其所有侧面上是封闭的。
主权项：1.一种用于通过升华生长工艺生长半导体材料的至少一个单晶的升华系统，所述升华系统100包括：具有纵向轴线120和沿所述纵向轴线120延伸的侧壁116的坩埚102，其中，所述坩埚包括用于至少一个籽晶110的固定装置和用于容纳原材料108的至少一个原材料隔室104，以及加热系统，所述加热系统形成为沿所述坩埚的纵向轴线在所述坩埚的圆周周围产生温度场，其中，所述坩埚102包括至少一个第一热辐射腔118，所述至少一个第一热辐射腔与所述固定装置相对设置并且与所述原材料隔室104相邻，所述第一热辐射腔118在其所有侧面上是封闭的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 硅晶体有限公司 生长至少一个单晶的升华系统和方法
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