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申请/专利权人：三星显示有限公司
摘要：提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，设置在基底上方；栅极绝缘膜，设置在半导体层上方；以及栅电极。半导体层包括沟道区、源区和漏区。栅极绝缘膜包括第一区和第二区。第二区与第一区接界。栅电极设置在第一区上方。台阶形状形成在第二区和第一区相接处。
主权项：1.一种显示设备，所述显示设备包括：基底；缓冲层，设置在所述基底上；薄膜晶体管，设置在所述缓冲层上；以及显示元件，连接到所述薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，设置在所述缓冲层上，被图案化为暴露所述缓冲层的上表面，并且包括包含铟、镓和锌中的至少一种的氧化物半导体材料；栅极绝缘膜，设置在所述半导体层上，并且包括第一区和第二区，所述第二区从所述第一区的侧面延伸；以及栅电极，设置在所述栅极绝缘膜的所述第一区上，其中，所述第一区的厚度与所述第二区的厚度不同以形成台阶，所述台阶在平面图中与所述栅电极的端部间隔开，并且其中，所述栅极绝缘膜暴露所述半导体层的两端。
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百度查询： 三星显示有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
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