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申请/专利权人：无锡纳斯凯半导体科技有限公司
摘要：本发明的目的在于公开一种高精度圆角曲率半径针尖的制备方法，与现有技术相比，采用一阶段动态腐蚀与二阶段静态腐蚀修饰的结合方法，通过一阶段动态腐蚀使针尖初步成型，再通过二阶段静态腐蚀，二阶段静态腐蚀电压较一阶段腐蚀电压小，且反应时间更短，保证针尖的成型更加平滑，用于针尖的平滑度及曲率半径的修饰；经过动态与静态双阶段电化学腐蚀，制成用于原子力显微镜探针装置、电子束发射针以及离子束发射装置的针尖，针尖的尖端圆角曲率半径小于0.5μm，缓解原子力及电子显微镜行业耗材巨大的市场需求，实现本发明的目的。
主权项：1.一种高精度圆角曲率半径针尖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、使用截面直径小于2mm的金属柱形体，并将金属柱形体部分浸没在电化学腐蚀液中，金属柱形体与电化学腐蚀液的液面保持垂直；S2、金属柱形体向上匀速抬升，抬升的同时，在电化学腐蚀液中通入一阶段动态腐蚀电压，使金属柱形体通过离子交换发生电化学腐蚀反应；S3、待金属柱形体抬升至电化学腐蚀液的液面上端，完成一阶段动态腐蚀反应，反应时间为5~8min，形成初步的针尖形貌；S4、再次将金属柱形体下降至电化学腐蚀液中，使一阶段动态腐蚀反应形成的针尖的末端与电化学腐蚀液的液面平齐，在电化学腐蚀液中通入二阶段静态腐蚀电压，保持10~30s的时间，保证针尖的成型更加平滑，制成高精度圆角曲率半径针尖，针尖的尖端圆角曲率半径小于0.5μm。
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权利要求：
百度查询： 无锡纳斯凯半导体科技有限公司 一种高精度圆角曲率半径针尖的制备方法
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