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申请/专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
摘要：本发明公开一种双层石墨烯晶圆的制备方法及该方法制备的双层石墨烯晶圆。该方法包括：将两片基底放置气相沉积装置中进行气相沉积；其中所述基底包括铜薄膜，所述铜薄膜为单晶Cu111薄膜，所述两片基底的铜薄膜相对且平行设置，所述铜薄膜之间的间距为≤25μm；所述气相沉积时通入的碳源气体的分压为0.08mbar至0.32mbar，H2分压为40mbar。本发明利用目前已较为成熟的Cu111单晶晶圆衬底，通过打破铜表面的自限制生长模式，发展石墨烯晶圆的层数调控方法，实现双层石墨烯晶圆的可控制备，具有重要的科学价值与应用价值。
主权项：1.一种双层石墨烯晶圆的制备方法，其特征在于，包括：将两片基底放置气相沉积装置中进行气相沉积；其中所述基底包括铜薄膜，所述铜薄膜为单晶Cu111薄膜，所述两片基底的铜薄膜相对且平行设置，所述铜薄膜之间的间距为≤25μm；所述气相沉积时通入的碳源气体的分压为0.08mbar至0.32mbar，H2分压为40mbar。
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权利要求：
百度查询： 北京石墨烯研究院 北京大学 双层石墨烯晶圆及其制备方法
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