买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:深圳市奥伦德元器件有限公司
摘要:本发明公开了IR芯片以及光电耦合器,其中IR芯片,包括:Si衬底;设置于所述Si衬底上的掺杂层;与所述Si衬底层相接,背离所述掺杂层,且与所述掺杂层存在电极通道的P电极;背离所述Si衬底,与所述掺杂层存在电极通道的的N电极;以及SiO2钝化层;其中,所述掺杂层包括依次排布于所述Si衬底上的P型掺杂层、PN结、N型掺杂层;所述SiO2钝化层包覆于所述PN结的外壁。本发明技术方案提高了IR芯片的强度,避免了芯片在实际生产和封装过程中损坏,提高了IR芯片的可靠性。
主权项:1.一种IR芯片,其特征在于,包括:Si衬底;设置于所述Si衬底上的掺杂层;与所述Si衬底层相接,背离所述掺杂层,且与所述掺杂层存在电极通道的P电极;背离所述Si衬底,与所述掺杂层存在电极通道的的N电极;以及SiO2钝化层;其中,所述掺杂层包括依次排布于所述Si衬底上的P型掺杂层、PN结、N型掺杂层;所述SiO2钝化层包覆于所述PN结的外壁。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳市奥伦德元器件有限公司 IR芯片以及光电耦合器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。