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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括至少一组交替层叠的长波量子阱层和长波量子垒层、至少一组交替层叠的中波量子阱层和中波量子垒层和至少一组交替层叠的短波量子阱层和短波量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片能够降低有源层极化效应，提高势垒高度，减少电子溢流，促进载流子在有源层均匀分布，提高载流子在有源层复合效率，提高发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括至少一组交替层叠的长波量子阱层和长波量子垒层、至少一组交替层叠的中波量子阱层和中波量子垒层和至少一组交替层叠的短波量子阱层和短波量子垒层，所述长波量子阱层和长波量子垒层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长范围为460nm~470nm，所述中波量子阱层和中波量子垒层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长范围为450nm~460nm，所述短波量子阱层和短波量子垒层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长范围为440nm~450nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、LED
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