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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法包括：提供一衬底，并在衬底表面沉积外延层；对外延层表面部分区域进行刻蚀，形成N型半导体层导电台阶，在外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层；在外延层表面制备布拉格反射层，对布拉格反射层进行刻蚀形成通孔；在外延层表面涂布负性光刻胶，采用分区光罩进行曝光、显影处理，在负性光刻胶内形成两处尺寸不同的开孔区域，依次在两开孔区域沉积导电金属，以在大尺寸开孔区域形成金属反射层，在小尺寸开孔区域形成横向导电层；最后在外延层表面制备绝缘钝化层和焊盘层。本申请制备的倒装发光二极管，金属层反射率高，产品成本低。
主权项：1.一种倒装发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，提供一衬底，并在所述衬底表面沉积外延层，所述外延层包括依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层；S20，对所述外延层表面部分区域进行刻蚀，刻蚀深度直至所述N型半导体层，形成N型半导体层导电台阶，在所述外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层；S30，在制备N型半导体层导电台阶和电流扩展层后的外延层表面蒸镀若干组SiO2和TI3O5的交叠层作为布拉格反射层，对所述布拉格反射层进行刻蚀，以分别在所述电流扩展层和所述N型半导体层导电台阶上形成对应的布拉格反射层通孔；S40，在形成布拉格反射层的外延层表面涂布负性光刻胶，采用分区光罩进行曝光、显影处理，在负性光刻胶内形成两处尺寸不同的开孔区域，依次在两所述开孔区域沉积导电金属，以在大尺寸开孔区域形成金属反射层，在小尺寸开孔区域形成横向导电层；S50，在形成金属反射层和横向导电层的外延层表面制备绝缘钝化层和焊盘层，以得到目标倒装发光二极管。
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权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管
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