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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种efuse单元，其包括第一熔丝、第二熔丝、第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；第一熔丝的一端作为efuse单元的Q1端口，另一端接第三NMOS管的漏端和第一NMOS管的漏端；第二熔丝的一端作为efuse单元的端口，另一端连接第三NMOS管的源端和第二NMOS管的漏端；第一NMOS管的源端及第二NMOS管的源端接地；第一NMOS管和第二NMOS管的栅端短接形成为efuse单元的WLC端口；第三NMOS管的栅端作为efuse单元的RDC端口。本发明的efuse单元，能避免由于熔丝发生编程电阻过小的问题时导致的读操作失败，提高编程操作的可靠性，并能降低编程操作所需的电压，并降低编程电流，使得整体面积减小。本发明还公开了该ehuse单元的应用电路。
主权项：1.一种efuse单元，其特征在于，其包括第一熔丝link1、第二熔丝link2、第一NMOS管Mn1、第二NMOS管Mn2及第三NMOS管Mn3；第一熔丝link1的一端作为efuse单元的Q1端口，另一端接第三NMOS管Mn3的漏端和第一NMOS管Mn1的漏端；第二熔丝link2的一端作为efuse单元的Q2端口，另一端连接第三NMOS管Mn3的源端和第二NMOS管Mn2的漏端；第一NMOS管Mn1的源端及第二NMOS管Mn2的源端接地GND；第一NMOS管Mn1和第二NMOS管Mn2的栅端短接形成为efuse单元的WLC端口；第三NMOS管Mn3的栅端作为efuse单元的RDC端口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 efuse单元及其应用电路
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