龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：本发明涉及氮化镓场效应晶体管技术领域，提供一种双沟道氮化镓场效应晶体管、电路及性能调节方法，包括：外延层结构，包括第一二维电子气以及第二二维电子气；栅极结构，设置于外延层结构上，栅极结构包括沟槽部以及栅极肩部；漏极件以及源极件，漏极件以及源极件均设置于外延层结构上，漏极件包括漏极主体以及漏极延伸部，源极件包括源极主体以及源极延伸部；漏极主体与源极主体之间通过第一二维电子气形成的第一沟道导通；漏极延伸部与源极延伸部之间通过第二二维电子气形成的第二沟道导通。利用第一二维电子气以及第二二维电子气形成的双沟道令漏极件与源极件之间导通，双沟道的结构减小漏极件与源极件之间的导通电阻提高和优化晶体管性能。
主权项：1.一种双沟道氮化镓场效应晶体管，其特征在于，包括：外延层结构，包括由下至上层叠的第一氮化镓层、第一氮化铝镓层、第二氮化镓层以及第二氮化铝镓层，所述第一氮化铝镓层与所述第一氮化镓层之间形成第一二维电子气，所述第二氮化铝镓层与所述第二氮化镓层之间形成第二二维电子气；栅极结构，设置于所述外延层结构上，所述栅极结构包括沟槽部以及栅极肩部，所述沟槽部用于控制所述第一二维电子气，所述栅极肩部用于控制所述第二二维电子气；漏极件以及源极件，所述漏极件以及所述源极件均设置于所述外延层结构上，所述漏极件包括漏极主体以及漏极延伸部，所述源极件包括源极主体以及源极延伸部；所述漏极主体与所述源极主体之间通过所述第一二维电子气形成的第一沟道导通；所述漏极延伸部与所述源极延伸部之间通过所述第二二维电子气形成的第二沟道导通；其中，所述漏极延伸部与所述源极主体之间留有间距，所述源极延伸部与所述漏极主体之间留有间距。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 一种双沟道氮化镓场效应晶体管、电路及性能调节方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号