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申请/专利权人：南京航空航天大学

摘要：本发明公开了一种抗辐射增强反相单元及抗单粒子翻转可自恢复锁存器，针对现有技术中存在的缺陷，本发明的锁存器采用了一个新型的抗辐射锁存反相单元和一个新型的抗辐射增强反相单元的连接方式，在结构上实现了对内部节点和输出节点的加固，实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管，降低了锁存器的面积和功耗开销，提高了电路性能。该锁存器适用于高可靠性的集成电路与系统，可广泛应用于对锁存器可靠性及综合开销要求较高的领域。

主权项：1.一种抗单粒子翻转可自恢复锁存器，其特征在于：包括一个传输门（TG），一个抗辐射锁存反相单元和一个抗辐射增强反相单元；所述抗辐射锁存反相单元的信号输入端与传输门（TG）的信号输入端相连，连接点即为所述锁存器的数据输入端，抗辐射增强反相单元的信号输出端与传输门（TG）的信号输出端相连，连接点即为所述锁存器的数据输出端；所述抗辐射锁存反相单元包括信号输入端、时钟信号输入端、反相时钟信号输入端和第一信号输出端和第二信号输出端，所述传输门（TG）和抗辐射锁存反相单元具有相同的时钟信号；所述抗辐射增强反相单元包括第一信号输入端、第二信号输入端和信号输出端；所述抗辐射锁存反相单元的第一信号输出端与抗辐射增强反相单元的第二信号输入端相连，所述抗辐射锁存反相单元的第二信号输出端与抗辐射增强反相单元的第一信号输入端相连，所述传输门（TG）直接连接所述锁存器的数据输入端和数据输出端，构成本锁存器的高速通路；所述抗辐射增强反相单元电路包括第三PMOS管（MP3），第四PMOS管（MP4），第三NMOS管（MN3），第四NMOS管（MN4），第五PMOS管（MP5）和第五NMOS管（MN5）；其中，第三PMOS管（MP3）的栅极和第三NMOS管（MN3）的栅极相连，连接点为抗辐射增强反相单元的第一信号输入端（I1），第四PMOS管（MP4）的栅极和第四NMOS管（MN4）的栅极相连，连接点为抗辐射增强反相单元的第二信号输入端（I2），第四PMOS管（MP4）的漏极、第三NMOS管（MN3）的漏极、第五PMOS管（MP5）的栅极和第五NMOS管（MN5）的栅极相连，连接点为抗辐射增强反相单元的信号输出端（OUT）；第三PMOS管（MP3）的源极和第五PMOS管（MP5）的源极均连接电源（VDD）,第三PMOS管（MP3）的漏极、第五PMOS管（MP5）漏极和第四PMOS管（MP4）源极相连接，第三NMOS管（MN3）的源极和第四NMOS管（MN4）的漏极、第五NMOS管（MN5）的漏极相连接，第四NMOS管（MN4）的源极、第五NMOS管（MN5）的源极均接地。

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