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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法和应用，所述外延片包括依次层叠设置的衬底、氮化物成核层、复合层和外延层；所述氮化物成核层为3维岛状结构；所述复合层包括沿着远离衬底的方向交替层叠设置的至少两层插入层和至少两层粗化层。本发明通过在氮化物成核层和外延层之间设置至少两层插入层和至少两层粗化层，获得了高晶体质量的外延片，相比于常规外延片，本发明制备的外延片具有更低的应力和更低的位错密度，可满足半导体高端产品应用需求。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括依次层叠设置的衬底、氮化物成核层、复合层和外延层；所述氮化物成核层为3维岛状结构；所述复合层包括沿着远离所述衬底的方向依次层叠设置的第一插入层、第一粗化层、第二插入层和第二粗化层；所述第一插入层为网格状结构；所述第一粗化层为3维岛状结构；所述第一粗化层设置于所述第一插入层上，并与所述氮化物成核层一一对应；所述第二插入层为网格状结构；所述第二插入层设置于所述第一粗化层的表面，以及相邻所述氮化物成核层之间的衬底表面；所述第二粗化层为3维岛状结构。
全文数据：
权利要求：
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