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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种调控不同圈别氮化物外延片翘曲一致性的方法，该方法包括将若干用于生长氮化物外延片的衬底放入金属有机气相沉积设备中，且分别置于金属有机气相沉积设备内圈、中圈以及外圈，随后在各个衬底上外延生长氮化物缓冲层后，对氮化物缓冲层进行翘曲调控，其中，在不通入任何金属有机源且只通入气氛N2H2NH3的条件下，控制位于设备不同圈别的衬底上的氮化物缓冲层的调控温度不同，且温差小于100℃，得到翘曲调控后的氮化物缓冲层，并在翘曲调控后的氮化物缓冲层上依次沉积其它外延层。本发明提出的上述方法，旨在解决现有技术中，不能分区调整氮化物外延层翘曲，从而改善外延层的波长均匀性的问题。
主权项：1.一种调控不同圈别氮化物外延片翘曲一致性的方法，其特征在于，所述方法包括：将若干用于生长氮化物外延片的衬底放入金属有机气相沉积设备中，且分别置于所述金属有机气相沉积设备内圈、中圈以及外圈；在各个衬底上外延生长氮化物缓冲层后，对所述氮化物缓冲层进行翘曲调控，其中，在不通入任何金属有机源且只通入气氛N2H2NH3的条件下，控制位于所述内圈衬底上的所述氮化物缓冲层在第一调控温度下生长，控制位于所述中圈衬底上的所述氮化物缓冲层在第二调控温度下生长，控制位于所述外圈衬底上的所述氮化物缓冲层在第三调控温度下生长，所述第一调控温度、所述第二调控温度以及所述第三调控温度不同，且温差小于100℃；在经过翘曲调控后的氮化物缓冲层上依次外延生长非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层以及P型GaN接触层。
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权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种调控不同圈别氮化物外延片翘曲一致性的方法
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