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申请/专利权人:南通大学
摘要:本申请公开了一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法,包括以下步骤:获取InPHEMT器件的直流测试数据;基于InPHEMT器件的直流测试数据,计算直流跨导与直流输出电导;基于InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果及直流跨导和直流输出电导,获取源极串联电阻的初始值;基于InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果,获取射频跨导与射频输出电导;基于源极串联电阻的初始值、射频跨导以及射频输出电导,优化源极串联电阻参数值。本申请从源极串联电阻对器件特性的影响出发,利用直流特性和正常工作状态下的S参数,定义了源极串联电阻唯一解的提取方法,且提高了模型的精度。
主权项:1.一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法,其特征在于,包括以下步骤:对InPHEMT器件进行通电测试,获取所述InPHEMT器件的直流测试数据;基于所述InPHEMT器件的直流测试数据,计算直流跨导与直流输出电导;基于所述InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果及所述直流跨导和所述直流输出电导,获取源极串联电阻的初始值;基于所述InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果,获取射频跨导与射频输出电导;基于所述源极串联电阻的初始值、所述射频跨导以及所述射频输出电导,优化源极串联电阻参数值;其中,基于所述源极串联电阻的初始值、所述射频跨导以及所述射频输出电导,获取所述直流跨导与所述射频跨导的曲线图;基于所述InPHEMT器件的频率色散效应,对比所述直流跨导与所述射频跨导的曲线图,优化所述源极串联电阻参数值。
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权利要求:
百度查询: 南通大学 一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法
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