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申请/专利权人:南昌凯迅光电股份有限公司
摘要:本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域,具体是涉及一种VCSEL阵列芯片及其制造方法,该VCSEL阵列芯片自下而上依次为背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、氧化层、P‑DBR、P+GaAs、TaN薄膜层、接触电极、正面电极;VCSEL阵列芯片的出光孔呈阵列排布;正面电极为分离式正面电极,分别位于焊线区域和出光孔的接触电极区域,并通过所述TaN薄膜层相连接。本发明通过从芯片结构上进行优化,出光孔阵列排布,正面电极分离设置,并通过TaN薄膜层进行连接,在保证导电的同时降低了电极材料Au的消耗,大大降低成本、提高可靠性,加工方便。
主权项:1.一种VCSEL阵列芯片,其特征在于,所述VCSEL阵列芯片自下而上依次为背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N-DBR、N-限制层、多量子阱有源层、P-限制层、氧化层、P-DBR、P+GaAs、TaN薄膜层、接触电极、正面电极;所述VCSEL阵列芯片的出光孔呈阵列排布;所述正面电极为分离式正面电极,分别位于焊线区域和出光孔的接触电极区域,并通过所述TaN薄膜层相连接。
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权利要求:
百度查询: 南昌凯迅光电股份有限公司 一种VCSEL阵列芯片及其制造方法
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