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申请/专利权人：成都高投芯未半导体有限公司
摘要：本发明提出一种IGBT的极限电压测试系统及方法，包括管理设备、电压源设备以及电流采集设备，管理设备用于控制电压源设备在IGBT管的集电极和发射极之间施加脉冲电压；电流采集设备用于采集IGBT管的集电极和发射极之间的漏电流值，并将漏电流值传输给管理设备；管理设备用于根据漏电流值确定IGBT管的极限电压。通过脉冲电压源在IGBT管的集电极和发射极之间施加脉冲电压，快速测量IGBT管的集电极和发射极之间的漏电流值，可以在准确地确定IGBT管的极限电压的前提条件下，尽可能缩短测试的时长，避免长时间连续的电流测试导致IGBT管出现发热的情况，减少对器件的损害。
主权项：1.一种IGBT的极限电压测试系统，其特征在于，所述IGBT的极限电压测试系统包括管理设备、电压源设备以及电流采集设备，所述电压源设备的第一端用于连接IGBT管的集电极的信号施加端，所述电压源设备的第二端用于连接IGBT管的发射极的信号施加端，所述电流采集设备的第一端用于连接IGBT管的集电极的量测端，所述电流采集设备的第二端用于连接IGBT管的发射极的量测端，所述管理设备分别与所述电压源设备和所述电流采集设备连接；所述管理设备用于控制所述电压源设备在所述IGBT管的集电极和发射极之间施加脉冲电压；所述电流采集设备用于采集所述IGBT管的集电极和发射极之间的漏电流值，并将所述漏电流值传输给所述管理设备；所述管理设备用于根据所述漏电流值确定所述IGBT管的极限电压。
全文数据：
权利要求：
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