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申请/专利权人：重庆镁储能科技有限公司
摘要：本发明公开了一种V3S4@CG复合电极材料的制备方法及其应用，包括如下步骤：步骤1：将钒源、抗坏血酸和1,4‑苯二甲酸混合后进行水热反应，得到钒基MOF前驱体；步骤2：将步骤1得到的钒基MOF前驱体与过量硫源置于真空气氛下，在650℃~950℃煅烧2~4h，得到中间体V3S4@C；步骤3：取单层石墨烯和V3S4@C进行超声和搅拌处理，得到V3S4@CG复合电极材料。本发明采用水热法—煅烧两步法，经过单层石墨烯包覆得到形状规则、颗粒大小均匀、高化学性能的镁基电池正极材料V3S4@CG复合材料，提高了产物纯度、降低了合成成本，所制得纳米分级结构的V3S4@CG复合材料，作为正极材料具有结构稳定性等优点。
主权项：1.一种V3S4@CG复合电极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将钒源、抗坏血酸和1,4-苯二甲酸混合后进行水热反应，得到钒基MOF前驱体；其中，钒源、抗坏血酸和1,4-苯二甲酸的摩尔比为：1：2：4～12；步骤2：将步骤1得到的钒基MOF前驱体与过量硫源置于真空气氛下，在650℃～950℃煅烧2～4h，得到中间体V3S4@C；步骤3：取单层石墨烯和V3S4@C进行超声和搅拌处理，得到V3S4@CG复合电极材料；其中，单层石墨烯和V3S4@C的质量比为：1～3：10；所述钒源为V2O5；所述硫源为硫代乙酰胺；在步骤1的水热反应中，反应釜的填充比为70％～80％，反应温度为180℃，反应时间为15h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆镁储能科技有限公司 一种V3S4@C/G复合电极材料的制备方法及其应用
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