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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：本发明涉及一种提高半导体材料放电加工效率的进电端表面预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：先在半导体进电端表面制备一层导电涂层，再对导电涂层部分进行激光辐照、形成蚀除坑，最后在原导电涂层上再涂覆一层导电涂层。上述技术方案中提供的提高半导体材料放电加工效率的进电端表面预处理方法，采用激光辐照使照射处温度迅速升高，涂层的部分材料会熔化、气化而蚀除，形成蚀除坑；激光束投射到材料表面产生热效应，在高温熔化、爆炸冲击等因素的综合作用下，涂层的原子会向半导体表层扩散，从而增大半导体表层的掺杂浓度，减小或消除进电端的接触势垒；即本发明可有效提高放电回路的导电性，改善半导体放电加工的可加工性。
主权项：1.一种提高半导体材料放电加工效率的进电端表面预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：先在半导体进电端表面制备一层导电涂层，再对导电涂层部分进行激光辐照、形成蚀除坑，最后在原导电涂层上再涂覆一层导电涂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 提高半导体材料放电加工效率的进电端表面预处理方法
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